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TN0200K
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.0
200
175
0.8
150
0.6
125
100
C iss
0.4
V GS = 2.5 V
75
0.2
0.0
V GS = 4.5 V
50
25
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D – Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 0.6 A
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.6 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
5
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.8
T J – Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J = 150 °C
0.7
0.6
0.5
I D = 0.6 A
0.1
0.4
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72678
S-71198–Rev. B, 18-Jun-07
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
www.vishay.com
3
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